Semi-Power Device功率半導體
GaN Transistor
億光GaN功率元件優勢為切換速度快、集成體積小,適用於替代中低壓矽基MOSFET在高頻的消費電子、新能源汽車等應用場景,億光GaN功率二極體系列產品電阻範圍涵蓋100 mOhm~300 mOhm,封裝型式為DFN。
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The Third Floor Category Name
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The Fourth Floor Category Name
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億光GaN功率元件優勢為切換速度快、集成體積小,適用於替代中低壓矽基MOSFET在高頻的消費電子、新能源汽車等應用場景,億光GaN功率二極體系列產品電阻範圍涵蓋100 mOhm~300 mOhm,封裝型式為DFN。