Semi-Power Device功率半導體
GaN
億光GaN功率元件優勢為切換速度快、集成體積小,適用於替代中低壓矽基MOSFET在高頻的消費電子、新能源汽車等應用場景,億光GaN功率二極體系列產品電阻範圍涵蓋100 mOhm~300 mOhm,封裝型式為DFN。
反射式光中斷器(Photointerrupter; ITR)物體偵測應用手冊 V1.0(繁中)
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光中斷器(Photo Interrupter;ITR)在旋轉方向偵測應用 V1.0(繁中)
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The Third Floor Category Name