Semi-Power Device功率半導體
GaN Transistor
億光GaN功率元件優勢為切換速度快、集成體積小，適用於替代中低壓矽基MOSFET在高頻的消費電子、新能源汽車等應用場景，億光GaN功率二極體系列產品電阻範圍涵蓋100 mOhm~300 mOhm，封裝型式為DFN。
DFN 5x6
DFN 8x8
產品特性
- 具備耐高溫、耐高壓，有良好的導電性、導熱性
- 在高電壓情況下不易發熱，能有效縮短充電時間
- 擁有更高的電子密度和電子速度，切換速度快、體積更小、重量更輕
- 電阻範圍：100 mOhm~300 mOhm
產品應用
- 變壓器、充電器
- 需要較大電壓的筆記型電腦、平板
- LED照明、5G基地台
- 適合高頻率、高效率的電子產品
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