億光GaN功率元件優勢為切換速度快、集成體積小，適用於替代中低壓矽基MOSFET在高頻的消費電子、新能源汽車等應用場景，億光GaN功率二極體系列產品電阻範圍涵蓋100 mOhm~300 mOhm，封裝型式為DFN。